在李强跟王衣云商量什么时候能到美国的时候，车缓缓开进了星空公司的大门。
张亚勤和阿加等人在门口等着迎接李强去，经过简单的寒暄之后，众人一起进入了会议室。
李强问道：“跟倪老约的是几点会面”。
张亚勤道：“还有半个小时他们就会到”。
李强点点头问问大家的意见道：“大家对收购方舟芯片怎么看”？
张亚勤和阿加都各自陈述了一遍自己的观点。总结起来就是可以搞，将来芯片及半导体行业绝对会成为高科技企业必争之地。现在下手好处会更大，唯一的缺点就是不确定到底需要多少资金和时间才能完成。
但是可以肯定的是绝对不会是小数目，这也是众人比较担心的地方，毕竟所需的资金过于庞大，庞大到可能只有国家才有能力完成这个重任吧。
李强也知道大概会消耗数十亿到上百亿的资金，这属实让人难以接受。正当李强思考的时候，张亚勤的秘书报告说倪光南到了，于是一群人来到了大会议室跟倪光南见面会谈。
李强自然以晚辈礼会见倪老这位为中国芯片和半导体做出突出贡献的人，虽然结局不太美好，但确实实实在在为中国的芯片及半导体行业做出贡献的人。
1984年初组织课题组研发出了汉字处理的第二项产品，即联想式汉字图形微型机系统”。随后应邀出任“中国科学院计算技术研究所新技术发展公司”总工程师。倪光南担任公司董事兼总工，主持开发了联想系列微机。后被遴选为中国工程院首批院士。2002年至2011年担任第五、六届中国中文信息学会理事长；2011年获得中国中文信息学会终身成就奖及计算机奖。
这样的成就及为中华软件及硬件的贡献当得起李强的礼遇。
倪光南老人家也没想到李强竟然年轻如斯，而且还特别有礼貌，只不过还是有点顾虑，如此大的项目，自己眼前这个小娃娃能够做得了主吗？别到时候白费了一番力气还耽误时间。
可是过了会看见张亚勤和阿加这些公司高管对李强的态度非常恭敬，这可不像一般的公司实际高管对家族富二代的态度。
因为下面的事情涉及到保密，所以无关人员被请了出去，但是武丰没动，导致江诗艳和王衣云也没动。
这也是李强授意武丰这么做的，毕竟王衣云马上要到美国去保护姜雪去了，应该知道一点自己这边的底细和秘密。这样可以更好的防止王衣云被更强大的势力所胁迫而畏首畏尾，咱们也是有实力的。
李强在秉退其他人之后，开始真诚的对倪光南道：“倪老，这次您来的原因和目前亚勤他们已经跟我汇报过了。其实我是星空这家公司的倡议者和实际组织者，也是这家公司的唯一股东。
这次请您来就是希望运用您专业的技术及眼光为中国的软件和硬件设施说出您的方案，我们共同探讨一下实施的可能性”。
倪光南开始很惊呃与李强竟然是公司的实际掌门人，但是见张亚勤和阿加都一副本来如此的表情。再说李强也没必要骗自己，毕竟星空公司是实实在在的摆在这的，公司实力最少二十亿规模可想而知。
倪光南老人家见李强如此诚心将公司机密都直接告诉自己，而且言语中表现出来对中国的软件及硬件的发展意愿。
这些都深深的触动着老人的心，于是倪光南也真诚为李强解说道：“半导体领域是一个非常复杂的产业链，可以说没有半导体产业的发展，也就没有互联网时代，互联网时代其实也可以叫硅晶片时代，我们电脑、手机、电视等等，它们所用到的芯片、集成电路等都是用硅制造出来的。
半导体工艺流程主要包括单晶硅片制造、IC设计、IC制造和IC封测等环节。在每个工艺环节中，都需要大量的软件和硬件设备。
单晶硅片制造需要单晶炉等设备，IC制造需要光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法设备、过程检测等六大类设备。在半导体设备中，像台积电等晶圆代工厂设备采购额约占80%，检测设备约占8%，封装设备约占7%，硅片厂设备等其他约占5%。
IC 制造设备市场中光刻机、蚀刻机、薄膜设备是最为核心的设备，光刻技术是一种精密的微细加工技术。常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗光刻技术蚀剂为中间图像记录媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片主要是硅片或介质层上的一种工艺。
光刻机设备目前被荷兰的ASML所垄断，这是台积电、英特尔、高通等一大批半导体厂商提供资金、技术打造的垄断巨头。
而采用物理或化学方法是物质即原材料附着于衬底材料表面的过程即为薄膜生长。薄膜生长广泛用于集成电路、先进封装、发光二极管、功率器件、平板显示等领域。根据工作原理的不同，集成电路薄膜沉积可分为物理气相沉积化学气相沉积和外延三大类。
刻蚀是使用化学或者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的显著侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀环节是复制掩膜图案的关键步骤.
在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。
干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应，从而去掉曝露的表面材料，所以干法刻蚀也称等离子刻蚀。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最重要方法。
利用干法刻蚀的也叫等离子体刻蚀机，等离子体刻蚀机是芯片制造中的一种关键设备，用来在芯片上进行微观雕刻，每个线条和深孔的加工精度都是头发丝直径的几千分之一到上万分之一，精度控制要求非常高。
比如，16nm工艺的微观逻辑器件有60多层微观结构，要经过1000多个工艺步骤，攻克上万个技术细节才能加工出来。
在集成电路制造过程中需要多种类型的干法刻蚀工艺，应用涉及硅片上各种材料。被刻蚀材料主要包括介质、硅和金属等，通过与光刻、沉积等工艺多次配合可以形成完整的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。
介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，主要包括氧化物刻蚀和氮化硅的刻蚀，是最复杂的刻蚀过程。接触孔和通孔结构的制作需要刻蚀介质，从而在其中刻蚀出窗口，而具有高深宽比，即窗口的深与宽的比值的窗口刻蚀具有一定的挑战性。
硅的等离子体干法刻蚀是硅片制造中的一项关键工艺技术，主要作用为制作栅结构、器件隔离和电容结构中的单晶硅槽。多晶硅栅的结构对刻蚀要求很高，必须对下层栅氧化层有高的选择比并具有非常好的均匀性和可重复性。多晶栅刻蚀通常采用氟基气体。
单晶硅刻蚀主要用于制作沟槽，要求每个沟槽都要保持一致的光洁度、接近的垂直侧壁、正确的深度和圆滑的沟槽顶角和底角。对浅槽的刻蚀使用氟气，对光刻胶有高选择比。对深槽刻蚀常采用氯基或溴基气体，刻蚀速率高并对氧化硅有高的选择比。
金属刻蚀主要应用于金属互连线、通孔、接触金属等环节。金属互连线通常采用铝合金，对铝的刻蚀采用氯基气体和部分聚合物。钨在多层金属结构中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基气体。
而在湿法腐蚀中，液体化学试剂，如酸、碱和溶剂等以化学方式去除硅片表面的材料。需要说明的是，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下是大于3微米的”。
倪光南尽量用简短而清晰的话语让李强明白其中的难度和原理，但是可惜对面的李强还是一脸的懵。
没办法谁让李强是金主呢！倪光南只好试着用更简单的方法来，好直接跟李强继续探讨硬件和软件方面的投入和研发成本及难度。
“这些工序说起来比较复杂，实际上呢也不太好实施，主要需要花费大量的资金去不断试错。
还得需要海量高端研发人员不断的去开发，时间上也是不太确定，所以极高的技术壁垒加上大量的人员、资金、时间的磨合，这才导致了计算机硬件设备的发展在我国是极其缓慢的。
即使是有国家队的影响力在，但因为风险的问题，所以也没有什么特别明显的进步，现在只能依靠民间大众的资本力量来做这件事情了”。
李强点点头表示理解倪老的想法，同时李强也想到了后世大名鼎鼎的中微国际。
